MOSFET Infineon, canale N 55 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 210 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF3805STRLPBF
- Codice RS:
- 217-2598
- Codice costruttore:
- IRF3805STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2598
- Codice costruttore:
- IRF3805STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 210A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 190nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 210A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 190nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.3mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Avanzata tecnologia di processo
Resistenza ultra bassa in stato attivo
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Senza piombo
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