MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 10 mΩ, 89 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
217-2635
Codice costruttore:
IRL3705NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

89A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Altezza

17.79mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 55V in contenitore D2-Pak.

Struttura di celle planari per SOA estesa

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto
Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

Contenitore con capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 195 A, in base alle dimensioni dello stampo)

In grado di essere saldato a onda

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