MOSFET Infineon, canale N, 10 MO, 89 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 55V in contenitore D2-Pak.

Struttura di celle planari per SOA estesa
Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale
Contenitore con capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 195 A, in base alle dimensioni dello stampo)
In grado di essere saldato a onda