MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 10 mΩ, 89 A, TO-263, Superficie IRL3705NSTRLPBF

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

14,59 €

(IVA esclusa)

17,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 750 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 +1,459 €14,59 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2636
Codice costruttore:
IRL3705NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

89A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

17.79mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 55V in contenitore D2-Pak.

Struttura di celle planari per SOA estesa

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto
Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

Contenitore con capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 195 A, in base alle dimensioni dello stampo)

In grado di essere saldato a onda

Link consigliati