MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB180N04S4H0ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3036
Codice costruttore:
IPB180N04S4H0ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2. È dotato di contenitore tipo TO263-7-3.

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Rds(on) ultra bassa

Testato al 100% con effetto valanga

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