MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB180N04S4H0ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 5 unità, in una confezione da 5*

18,91 €

(IVA esclusa)

23,07 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 430 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 53,782 €18,91 €
10 - 203,594 €17,97 €
25 - 453,238 €16,19 €
50 +3,218 €16,09 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3036
Codice costruttore:
IPB180N04S4H0ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2. È dotato di contenitore tipo TO263-7-3.

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Rds(on) ultra bassa

Testato al 100% con effetto valanga

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.