MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB011N04NGATMA1
- Codice RS:
- 898-6918
- Codice costruttore:
- IPB011N04NGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 898-6918
- Codice costruttore:
- IPB011N04NGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 188nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.31mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 188nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.31mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Non applicabile
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di drenaggio continua massima di 180 A, dissipazione di potenza massima di 250 W - IPB011N04NGATMA1
Questo MOSFET è ottimizzato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori elettrico e meccanico. Il design robusto e il funzionamento efficiente lo rendono adatto ai sistemi di automazione. Con una corrente di drenaggio continua massima di 180 A e una tensione massima drain-source di 40 V, offre una maggiore efficienza e affidabilità nelle prestazioni del circuito.
Caratteristiche e vantaggi
• L'elevata gestione della corrente migliora l'efficienza e le prestazioni del sistema
• La bassa Rds(on) riduce la perdita di potenza durante il funzionamento
• Il design a montaggio superficiale consente una facile integrazione nei PCB
• In grado di dissipare fino a 250 W, per una vasta gamma di applicazioni
• L'ampio intervallo di temperature operative garantisce la funzionalità in diversi ambienti - La configurazione a canale N offre migliori caratteristiche di commutazione
Applicazioni
• Utilizzato nei sistemi di controllo e azionamento dei motori
• Adatto alla gestione dell'energia nell'automazione industriale
• Impiegato nei convertitori DC-DC e negli inverter
• Utilizzato per la commutazione dei carichi nei sistemi di distribuzione di energia
• Applicabile nei sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari
Qual è la corrente di drenaggio massima continua per questo dispositivo?
Il dispositivo è in grado di gestire fino a 180A di corrente di drain continua, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta potenza.
Può funzionare a temperature elevate?
Sì, ha una temperatura operativa massima di +175°C, che consente prestazioni costanti anche in condizioni difficili.
Quali sono le specifiche della tensione di soglia del gate?
La tensione di soglia massima del gate è di 4V, mentre quella minima è di 2V, garantendo così una certa flessibilità nella compatibilità operativa.
Che tipo di montaggio supporta questo componente?
Questo prodotto è progettato per il montaggio in superficie e facilita l'installazione immediata su vari circuiti stampati.
In che modo questo MOSFET contribuisce all'efficienza energetica?
Il suo basso valore di Rds(on), pari a 1,1 mΩ, riduce significativamente la perdita di potenza, migliorando l'efficienza complessiva dei sistemi elettronici.
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