MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB011N04NGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
898-6918
Codice costruttore:
IPB011N04NGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

188nC

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.31mm

Larghezza

9.45 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di drenaggio continua massima di 180 A, dissipazione di potenza massima di 250 W - IPB011N04NGATMA1


Questo MOSFET è ottimizzato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori elettrico e meccanico. Il design robusto e il funzionamento efficiente lo rendono adatto ai sistemi di automazione. Con una corrente di drenaggio continua massima di 180 A e una tensione massima drain-source di 40 V, offre una maggiore efficienza e affidabilità nelle prestazioni del circuito.

Caratteristiche e vantaggi


• L'elevata gestione della corrente migliora l'efficienza e le prestazioni del sistema

• La bassa Rds(on) riduce la perdita di potenza durante il funzionamento

• Il design a montaggio superficiale consente una facile integrazione nei PCB

• In grado di dissipare fino a 250 W, per una vasta gamma di applicazioni

• L'ampio intervallo di temperature operative garantisce la funzionalità in diversi ambienti - La configurazione a canale N offre migliori caratteristiche di commutazione

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di controllo e azionamento dei motori

• Adatto alla gestione dell'energia nell'automazione industriale

• Impiegato nei convertitori DC-DC e negli inverter

• Utilizzato per la commutazione dei carichi nei sistemi di distribuzione di energia

• Applicabile nei sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari

Qual è la corrente di drenaggio massima continua per questo dispositivo?


Il dispositivo è in grado di gestire fino a 180A di corrente di drain continua, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta potenza.

Può funzionare a temperature elevate?


Sì, ha una temperatura operativa massima di +175°C, che consente prestazioni costanti anche in condizioni difficili.

Quali sono le specifiche della tensione di soglia del gate?


La tensione di soglia massima del gate è di 4V, mentre quella minima è di 2V, garantendo così una certa flessibilità nella compatibilità operativa.

Che tipo di montaggio supporta questo componente?


Questo prodotto è progettato per il montaggio in superficie e facilita l'installazione immediata su vari circuiti stampati.

In che modo questo MOSFET contribuisce all'efficienza energetica?


Il suo basso valore di Rds(on), pari a 1,1 mΩ, riduce significativamente la perdita di potenza, migliorando l'efficienza complessiva dei sistemi elettronici.

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