MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 9.2 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, A-262, Superficie IPI45N06S409AKSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3063
Codice costruttore:
IPI45N06S409AKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

A-262

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

71W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

23.45mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2 integrato con contenitore di tipo I2PAK (TO-262).

Canale N - modalità potenziata

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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