MOSFET Infineon, canale Tipo N, 0.00128 Ω 100 V, 483 A Miglioramento, TO-247, Foro passante, 3 Pin IRF100P218XKMA1

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Codice RS:
218-3093
Codice costruttore:
IRF100P218XKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

483A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

StrongIRFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00128Ω

Modalità canale

Miglioramento

MOSFET di potenza a canale N da 100 V di Infineon. Questo MOSFET è ideale per le applicazioni ad alta frequenza di commutazione.

RDS(on) molto basso

Eccellente carica gate x RDS(on) (FOM)

Qrr ottimizzato

Temperatura d'esercizio 175 °C

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