MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 23 mΩ, 57 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF3710STRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3096
Codice costruttore:
IRF3710STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

57A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

EIA 418

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-39-414

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon HEXFET. I MOSFET di potenza HEXFET di International Rectifier utilizzano Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. È adatto per applicazioni a corrente elevata grazie alla sua bassa resistenza di collegamento interna e può dissipare fino a 2 W in un'applicazione a montaggio superficiale tipica.

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Valori nominali dinamici dv/dt

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Senza piombo

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