MOSFET Infineon, canale N, 23 mΩ, 57 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 919-4775
Codice costruttore:: IRF3710PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 23 mΩ, 57 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 919-4775
Codice costruttore:: IRF3710PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 57 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRF3710PBF

Questo MOSFET è un semiconduttore di potenza di lunga durata, essenziale in varie applicazioni elettroniche. È progettato per un'elevata efficienza, eccellendo in contesti che richiedono una bassa resistenza e prestazioni termiche superiori, rendendolo importante per l'elettronica contemporanea in settori quali l'automazione e i sistemi meccanici.

Caratteristiche e vantaggi

• Utilizza la tecnologia HEXFET per una bassa resistenza di accensione
• Gestisce una corrente di drenaggio continua massima di 57A
• Funziona efficacemente entro una tensione drain-source di 100V
• Consente funzionalità di commutazione rapida per migliorare le prestazioni complessive
• Progettato per funzionare a una temperatura di giunzione massima di +175°C
• Ottimizzato per la gestione termica con una generazione di calore minima

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di alimentazione per autoveicoli per una gestione efficiente dell'energia
• Adatto ai circuiti di alimentazione per migliorare l'efficienza energetica
• Applicabile nei sistemi di controllo motore per scenari ad alta corrente
• Efficace nell'automazione industriale per prestazioni costanti sotto carico

Qual è il significato della bassa resistenza di accensione di questo MOSFET?

La bassa resistenza di accensione riduce le perdite di potenza e aumenta l'efficienza, aspetto cruciale per le applicazioni ad alte prestazioni.

È utilizzabile in ambienti ad alta temperatura?

Sì, funziona efficacemente fino a una temperatura di giunzione massima di +175°C, adatta alle applicazioni più difficili.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?

La tensione di soglia del gate, compresa tra 2 e 4 V, garantisce una commutazione efficace, consentendo un controllo preciso in vari progetti di circuiti.

Quale tipo di montaggio è adatto a questo dispositivo?

Questo MOSFET è previsto per il montaggio a foro passante, per facilitare un'installazione sicura in numerose applicazioni.

È necessaria una gestione termica durante il funzionamento?

Sebbene il progetto offra buone prestazioni termiche, un dissipatore di calore appropriato può essere vantaggioso in situazioni di dissipazione di potenza elevata.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	57 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	23 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	130 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.67mm
Materiale del transistor	Si
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm