MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 23 mΩ Miglioramento, 57 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF3710PBF

Codice RS:: 540-9812
Codice Distrelec:: 302-84-009
Codice costruttore:: IRF3710PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 23 mΩ Miglioramento, 57 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF3710PBF

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Codice RS:: 540-9812
Codice Distrelec:: 302-84-009
Codice costruttore:: IRF3710PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	23mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	200W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	130nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.54mm
	Larghezza	4.69 mm
	Altezza	8.77mm
	Distrelec Product Id	302-84-009
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 23mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 200W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 130nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.54mm
	Larghezza 4.69 mm
	Altezza 8.77mm
	Distrelec Product Id 302-84-009
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 57 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRF3710PBF

Questo MOSFET è un semiconduttore di potenza di lunga durata, essenziale in varie applicazioni elettroniche. È progettato per un'elevata efficienza, eccellendo in contesti che richiedono una bassa resistenza e prestazioni termiche superiori, rendendolo importante per l'elettronica contemporanea in settori quali l'automazione e i sistemi meccanici.

Caratteristiche e vantaggi

• Utilizza la tecnologia HEXFET per una bassa resistenza di accensione

• Gestisce una corrente di drenaggio continua massima di 57A

• Funziona efficacemente entro una tensione drain-source di 100V

• Consente funzionalità di commutazione rapida per migliorare le prestazioni complessive

• Progettato per funzionare a una temperatura di giunzione massima di +175°C

• Ottimizzato per la gestione termica con una generazione di calore minima

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di alimentazione per autoveicoli per una gestione efficiente dell'energia

• Adatto ai circuiti di alimentazione per migliorare l'efficienza energetica

• Applicabile nei sistemi di controllo motore per scenari ad alta corrente

• Efficace nell'automazione industriale per prestazioni costanti sotto carico

Qual è il significato della bassa resistenza di accensione di questo MOSFET?

La bassa resistenza di accensione riduce le perdite di potenza e aumenta l'efficienza, aspetto cruciale per le applicazioni ad alte prestazioni.

È utilizzabile in ambienti ad alta temperatura?

Sì, funziona efficacemente fino a una temperatura di giunzione massima di +175°C, adatta alle applicazioni più difficili.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?

La tensione di soglia del gate, compresa tra 2 e 4 V, garantisce una commutazione efficace, consentendo un controllo preciso in vari progetti di circuiti.

Quale tipo di montaggio è adatto a questo dispositivo?

Questo MOSFET è previsto per il montaggio a foro passante, per facilitare un'installazione sicura in numerose applicazioni.

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.