MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 950 mΩ, 324 A, SuperSO, Superficie

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Codice RS:
218-3103
Codice costruttore:
IRFH8201TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

324A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5 mm

Lunghezza

6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. È utilizzato principalmente negli inverter per motori c.c. con funzionamento a batteria.

Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Conformità RoHS, senza alogeni

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