MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 950 mΩ, 324 A, SuperSO, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

3132,00 €

(IVA esclusa)

3820,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,783 €3.132,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
218-3103
Codice costruttore:
IRFH8201TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

324A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. È utilizzato principalmente negli inverter per motori c.c. con funzionamento a batteria.

Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Conformità RoHS, senza alogeni

Link consigliati