MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 950 mΩ, 324 A, SuperSO, Superficie IRFH8201TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3104
Codice costruttore:
IRFH8201TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

324A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SuperSO

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. È utilizzato principalmente negli inverter per motori c.c. con funzionamento a batteria.

Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Conformità RoHS, senza alogeni

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