MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 950 mΩ, 324 A, SuperSO, Superficie IRFH8201TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3104
Codice costruttore:
IRFH8201TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

324A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Larghezza

5 mm

Lunghezza

6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. È utilizzato principalmente negli inverter per motori c.c. con funzionamento a batteria.

Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Conformità RoHS, senza alogeni

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