MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 200 A, 8 Pin, PG-HSOF, Superficie
- Codice RS:
- 220-7365
- Codice costruttore:
- IAUT200N08S5N023ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
3106,00 €
(IVA esclusa)
3790,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,553 € | 3.106,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7365
- Codice costruttore:
- IAUT200N08S5N023ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PG-HSOF | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PG-HSOF | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 75V-100V che utilizzano la nuova tecnologia OptiMOS in vari contenitori. Una gamma RDS(ON) da 1.2mΩ a 190mΩ CO2 riducendo le emissioni di 48V delle autovetture sta accelerando l'adozione della rete di schede 48V e quindi i generatori di avviamento come (Invertitore principale), interruttori principali della batteria, convertitore DCDC e dispositivi ausiliari 48V. Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET 80V e 100V per il settore automobilistico per questo mercato emergente. Che sono alloggiati in diversi tipi di contenitore come TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) e S308 (TSDSON-8), al fine di fornire soluzioni per diversi requisiti di potenza, nonché diversi concetti di raffreddamento a livello di unità di controllo elettronico (ECU). Oltre alle applicazioni 48V, i MOSFET 80V e 100V sono utilizzati anche per esempio nell'illuminazione a LED, nell'iniezione di carburante e nella ricarica wireless all'interno dei veicoli.
Canale N - modalità potenziata
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Rds(on) ultra bassa
Testato al 100% con effetto valanga
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