MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 900 V, 340 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB90R340C3ATMA2
- Codice RS:
- 220-7397
- Codice costruttore:
- IPB90R340C3ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 220-7397
- Codice costruttore:
- IPB90R340C3ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 15A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 900V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 340mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 94nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Lunghezza | 10.31mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 15A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 900V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 340mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 94nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.57mm | ||
Lunghezza 10.31mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon 900V Cool MOS C3 è la terza serie di Cool MOS con ingresso sul mercato nel 2001. C3 è il "cavallo di battaglia" del portafoglio.
Bassa resistenza specifica in stato attivo (RDS(ON)*A)
Immagazzinamento di energia molto basso nella capacità di uscita (Eoss) @400V
Bassa carica di gate (Qg)
Qualità Cool MOS™ collaudata sul campo
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