MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 60 V, 23 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
220-7403
Codice costruttore:
IPD30N06S4L23ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 55V-60V che utilizzano la nuova tecnologia OptiMOS in una varietà di contenitori e che vanno da 1.5mΩ a 160mΩThe 60V. La nuova famiglia di MOSFET per uso automobilistico OptiMOS5 con tecnologia offre maggiore potenza e prestazioni leader del settore. OptiMOS 5 fornisce perdite di conduzione ridotte ottimizzate per azionamenti e applicazioni di conversione di potenza. I contenitori senza piombo più piccoli SSO8 (5x6mm2) e S3O8 (3x3mm2) consentono un risparmio di spazio di oltre il 50% rispetto all'area di un DPAK.

Canale N - modalità potenziata

Certificazione AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

RDS più bassa al mondo a 60V (ON)

massima capacità di corrente

le più basse perdite di potenza di conduzione e commutazione per la massima efficienza termica

contenitori robusti con un'eccellente qualità e affidabilità

La carica di gate totale ottimizzata consente stadi di uscita driver più piccoli

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