Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0069 O, 90 A, TO-252, Montaggio superficiale

Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 55V-60V che utilizzano la nuova tecnologia OptiMOS in una varietà di contenitori e RDS(ON) di gamma da 1.5mΩ a 160mΩ 60V. La nuova famiglia di MOSFET per uso automobilistico OptiMOS5 con tecnologia offre maggiore potenza e prestazioni leader del settore. OptiMOS 5 fornisce perdite di conduzione ridotte ottimizzate per azionamenti e applicazioni di conversione di potenza. I contenitori senza piombo più piccoli SSO8 (5x6mm2) e S3O8 (3x3mm2) consentono un risparmio di spazio di oltre il 50% rispetto all'area di un DPAK.

Canale N - modalità potenziata
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Testato al 100% con effetto valanga
RDSon ultra basso
RDS più bassa al mondo a 60V (ON)
massima capacità di corrente
le più basse perdite di potenza di conduzione e commutazione per la massima efficienza termica
contenitori robusti con un'eccellente qualità e affidabilità
La carica di gate totale ottimizzata consente stadi di uscita driver più piccoli