MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 23 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD30N06S223ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9036
Codice costruttore:
IPD30N06S223ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Lunghezza

6.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

È certificato AEC Q101 per il settore automobilistico

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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