MOSFET Infineon, canale N 55 V, 23 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD30N06S223ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9036
Codice costruttore:
IPD30N06S223ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

È certificato AEC Q101 per il settore automobilistico

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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