MOSFET Infineon, canale N 55 V, 0.18 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
222-4615
Codice costruttore:
AUIRFR9024NTRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Advanced Process Technology

Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo

Senza piombo, Conformità RoHS

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