MOSFET e diodo Infineon, canale N 55 V, 11 mΩ Miglioramento, 62 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR48ZTRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7347
Codice costruttore:
AUIRFR48ZTRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il Infineon AUIRFR48ZTRL è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. È utilizzato in applicazioni automobilistiche e in un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

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