MOSFET Infineon, canale N 55 V, 11 mΩ, 62 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
218-3112
Codice costruttore:
IRFR48ZTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. Questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecnologie di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all’accensione per area di silicio.

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Senza piombo

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