MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, ISOMETRICO, Superficie

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Codice RS:
220-7473
Codice costruttore:
IRF6613TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

ISOMETRICO

Serie

StrongIRFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Lunghezza

6.35mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.68mm

Larghezza

5.05 mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Corrente nominale elevata

Capacità di raffreddamento su due lati

Contenitore con altezza ridotta di 0,7 mm

Contenitore a bassa induttanza parassita (1-2 NH)

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Livello di qualifica standard industriale

Capacità di corrente di ripple elevata

Prestazioni termiche ottimali

Formato compatto

Elevata efficienza

Ecologico

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