Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0035 O, 40 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Corrente nominale elevata
Capacità di raffreddamento su due lati
Contenitore con altezza ridotta di 0,7 mm
Contenitore a bassa induttanza parassita (1-2 NH)
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Livello di qualifica standard industriale
Capacità di corrente di ripple elevata
Prestazioni termiche ottimali
Formato compatto
Elevata efficienza
Ecologico