Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0124 O, 12 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Contenitore per montaggio superficiale standard industriale
Potenziale alternativa al contenitore SuperSO8 ad alta RDS(ON)
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Livello di qualifica standard industriale
I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in
Fattore forma piccolo