MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 30 V, 12.4 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
220-7480
Codice costruttore:
IRFH3707TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.8W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead-Free, RoHS

Larghezza

3 mm

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Potenziale alternativa al contenitore SuperSO8 ad alta RDS(ON)

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Livello di qualifica standard industriale

I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in

Fattore forma piccolo

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