MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 30 V, 16 mΩ Miglioramento, 8.8 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFHS8342TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7488
Codice costruttore:
IRFHS8342TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

8.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1 mm

Lunghezza

2.1mm

Standard/Approvazioni

Industrial Qualification, MSL1, RoHS

Altezza

2.1mm

Standard automobilistico

No

La Infineon IRFHS8342 è una robusta famiglia di MOSFET di potenza IRFET ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

Bassa resistenza RDS(ON) in un contenitore di piccole dimensioni

Piccolo profilo

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Livello di qualifica standard industriale

I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in

Alta densità di potenza

Fattore di forma compatto per applicazioni in spazi ridotti

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