MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 30 V, 12.4 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFH3707TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7481
Codice costruttore:
IRFH3707TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead-Free, RoHS

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Larghezza

3 mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Potenziale alternativa al contenitore SuperSO8 ad alta RDS(ON)

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Livello di qualifica standard industriale

I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in

Fattore forma piccolo

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