MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 5 mΩ Miglioramento, 139 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NTB5D0N15MC

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6694
Codice costruttore:
NTB5D0N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

139A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

NTB5D0N

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Altezza

15.88mm

Larghezza

4.83 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza 150V on Semiconductor ha utilizzato 139 A di corrente di drain utilizzata con un singolo canale N−. È stato prodotto utilizzando un Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia con gate schermato. È dotato del Qrr più basso del settore e del diodo corpo più morbido per un'eccellente commutazione a bassa rumorosità.

Max RDS(ON) 5,0 m a VGS a 10V

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Testato al 100% con UIL

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