MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 114 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ028N04LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4627
Codice costruttore:
BSZ028N04LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

114A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS-TM3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.2mm

Larghezza

6.1 mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23

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