Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 30 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 128 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie

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Codice RS:
348-902
Codice costruttore:
ISZ028N03LF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

128A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

ISZ

Tipo di package

PG-TSDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 Infineon da 30 V in confezione PQFN 3,3 x 3,3. Presenta un valore RDS(on) di 2,8 mOhm, il migliore della categoria, in un contenitore PQFN 3,3 x 3,3. Questo prodotto si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, dalla bassa all'alta frequenza di commutazione. Rispetto alla tecnologia precedente, ottiene un miglioramento fino al 40% del valore di RDS(on), con un miglioramento della FOM fino al 60% e un'eccellente robustezza.

Prodotti di uso generale

Eccellente robustezza

Rapporto prezzo/prestazioni superiore

Ampia disponibilità presso i distributori

Pacchetti e pin out standard

Elevati standard di produzione e fornitura

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