Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 109 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie
- Codice RS:
- 348-903
- Codice costruttore:
- ISZ033N03LF2SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 100 - 240 | 0,656 € | 6,56 € |
| 250 - 490 | 0,608 € | 6,08 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 348-903
- Codice costruttore:
- ISZ033N03LF2SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 109A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | ISZ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 71W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249‑2‑21, RoHS, JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 109A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PG-TSDSON-8 | ||
Serie ISZ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 71W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249‑2‑21, RoHS, JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 Infineon da 30 V in confezione PQFN 3,3 x 3,3. Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 a 30 V di Infineon è caratterizzato da una RDS(on) di 3,3 mOhm, la migliore della categoria, in un pacchetto PQFN 3,3 x 3,3. Questo prodotto si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, dalla bassa all'alta frequenza di commutazione.
Prodotti di uso generale
Eccellente robustezza
Rapporto prezzo/prestazioni superiore
Ampia disponibilità presso i distributori
Pacchetti e pin out standard
Elevati standard di produzione e fornitura
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