MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, PQFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

2424,00 €

(IVA esclusa)

2956,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 16.000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,606 €2.424,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-4744
Codice costruttore:
IRFH5250TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6mm

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.75 mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

RDSon basso (<1,15 mΩ)

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Testato al 100% Rg

Basso profilo (<0,9 mm)

Link consigliati