MOSFET Infineon, canale N, 0,00115 Ω, 100 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

RDSon basso (<1,15 mΩ)
Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)
Testato al 100% Rg
Basso profilo (<0,9 mm)