MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, PQFN, Superficie IRFH5250TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4745
Codice costruttore:
IRFH5250TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6mm

Larghezza

4.75 mm

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

RDSon basso (<1,15 mΩ)

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Testato al 100% Rg

Basso profilo (<0,9 mm)

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