MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, PQFN, Superficie IRFH5250TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4745
Codice costruttore:
IRFH5250TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

RDSon basso (<1,15 mΩ)

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<0,8 °C/W)

Testato al 100% Rg

Basso profilo (<0,9 mm)

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