MOSFET Littelfuse, canale Tipo N 1700 V, 750 mΩ Miglioramento, 4.5 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 223-3051P
- Codice costruttore:
- LSIC1MO170T0750-TU
- Costruttore:
- Littelfuse
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Unità | Per unità |
|---|---|
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- Codice RS:
- 223-3051P
- Codice costruttore:
- LSIC1MO170T0750-TU
- Costruttore:
- Littelfuse
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Littelfuse | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1700V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | LSIC1MO170T0750 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 750mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 65W | |
| Tensione diretta Vf | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 16.18mm | |
| Lunghezza | 10.18mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Littelfuse | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1700V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie LSIC1MO170T0750 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 750mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 65W | ||
Tensione diretta Vf 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 16.18mm | ||
Lunghezza 10.18mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I nuovi MOSFET al carburo di silicio (SiC) 1700V e 750mOhm Littelfuse sono presentati in contenitore TO-263-7L. Il pin source separato riduce significativamente il percorso dell'induttanza parassita della sorgente verso il driver, il che contribuisce a migliorare l'efficienza in applicazioni ad alta potenza. La temperatura massima di giunzione d'esercizio è 175 °C.
Questi MOSFET sono ideali per applicazioni ad alta frequenza in cui si desidera un'elevata efficienza.
Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza
Carica di gate e uscita estremamente basse
capacità
Bassa resistenza di gate per la commutazione ad alta frequenza
Operazioni normalmente disattivate a tutte le temperature
Bassissima resistenza in stato attivo
Contenitore ottimizzato con pin sorgente driver separato
MSL 1 nominale
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