MOSFET Littelfuse, canale N, 0,75 O, 4,5 A, TO-263-7, Montaggio superficiale

I nuovi MOSFET al carburo di silicio (SiC) 1700V e 750mOhm Littelfuse sono presentati in contenitore TO-263-7L. Il pin source separato riduce significativamente il percorso dell'induttanza parassita della sorgente verso il driver, il che contribuisce a migliorare l'efficienza in applicazioni ad alta potenza. La temperatura massima di giunzione d'esercizio è 175 °C.
Questi MOSFET sono ideali per applicazioni ad alta frequenza in cui si desidera un'elevata efficienza.

Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza
Carica di gate e uscita estremamente basse
capacità
Bassa resistenza di gate per la commutazione ad alta frequenza
Operazioni normalmente disattivate a tutte le temperature
Bassissima resistenza in stato attivo
Contenitore ottimizzato con pin sorgente driver separato
MSL 1 nominale