MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 350 mΩ, 13 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SIHP15N80AEF-GE3
- Codice RS:
- 225-9916
- Codice costruttore:
- SIHP15N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,616 € | 13,08 € |
| 50 - 120 | 2,354 € | 11,77 € |
| 125 - 245 | 2,146 € | 10,73 € |
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- Codice RS:
- 225-9916
- Codice costruttore:
- SIHP15N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 350mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.52mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.65 mm | |
| Altezza | 6.71mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 350mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.52mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.65 mm | ||
Altezza 6.71mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)