MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 29.2 mΩ Miglioramento, 8.3 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si4056ADY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2819
Codice costruttore:
Si4056ADY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Gen IV Vishay è utilizzato per interruttore di carico, protezione dei circuiti e controllo dell'azionamento.

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Stadio pilota livello logico

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