MOSFET Vishay, canale N, 0,0292 Ω, 8,3 A, SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 228-2819
Codice costruttore:: Si4056ADY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0292 Ω, 8,3 A, SO-8, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,745 €

(IVA esclusa)

0,909 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
10 - 90	0,745 €	7,45 €
100 - 240	0,67 €	6,70 €
250 - 490	0,551 €	5,51 €
500 - 990	0,485 €	4,85 €
1000 +	0,374 €	3,74 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 228-2819
Codice costruttore:: Si4056ADY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - Si4056ADY-T1-GE3

Codice RS:: 228-2819
Codice costruttore:: Si4056ADY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - Si4056ADY-T1-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,3 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0292 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,3 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0292 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2

MOSFET Vishay, canale N, 0,0292 Ω, 8,3 A, SO-8, Montaggio superficiale

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