2 MOSFET Vishay Mofset a doppio canale N, canale Tipo N, 18.6 mΩ, 13.1 A 100 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2827
Codice costruttore:
Si7252ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.1nC

Tensione diretta Vf

100V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Mofset a doppio canale N

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Vishay è utilizzato per l'interruttore lato primario c.c./c.c., telecomunicazioni/server, controllo dell'azionamento per motori e rettifica sincrona.

Ottimizzazione PWM

Testato al 100% Rg e UIS

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