MOSFET Vishay, canale N, 33,8 A, PowerPAK 1212-8S, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8347
Codice costruttore:
SISS5708DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

33,8 A

Tensione massima drain source

150 V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

Silicone

Numero di elementi per chip

2

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 5 a canale N Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. Viene utilizzato in applicazioni come la rettifica sincrona, il controllo dell'azionamento del motore, gli alimentatori.

Cifra di merito molto bassa
Conformità ROHS
Test UIS al 100%

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