MOSFET Vishay, canale N, 36 mΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-6339
Codice costruttore:
SI7900AEDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

36 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.4V

Dissipazione di potenza massima

1,5 W

Configurazione transistor

Drain comune

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Carica gate tipica @ Vgs

10,5 nC a 4,5 V

Lunghezza

3.15mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

2

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

3.15mm

Altezza

1.07mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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