MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 11,5 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-6294
Codice costruttore:
SI7129DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

11,5 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

20 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1.5V

Dissipazione di potenza massima

52,1 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

3.15mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

47,5 nC a 10 V

Lunghezza

3.15mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-50 °C

Altezza

1.07mm

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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