1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, Tipo P, 20 mΩ, 35 A 30 V, PowerPAK 1212-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
165-6294
Codice costruttore:
SI7129DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si7129DN

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

52.1W

Minima temperatura operativa

-50°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.6nC

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Lunghezza

3.15mm

Altezza

1.07mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale P, da 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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