MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 11,5 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6294
Codice costruttore:: SI7129DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 11,5 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,401 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,401 €	1.203,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6294
Codice costruttore:: SI7129DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7129DN, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	52,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.15mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	47,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-50 °C
Altezza	1.07mm

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 11,5 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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