MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 11,5 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 818-1384
Codice costruttore:: SI7129DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 11,5 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 20**

0,72 €

(IVA esclusa)

0,88 €

(IVA inclusa)

8960 disponibile per la consegna entro 1 - 2 giorni lavorativi per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzini in Europa). Accedi e verifica i tempi di consegna nel carrello*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Clicca qui per verificare la disponibilità

Unità	Per unità	Per confezione**
20 - 80	0,72 €	14,40 €
100 - 180	0,677 €	13,54 €
200 - 480	0,648 €	12,96 €
500 - 980	0,576 €	11,52 €
1000 +	0,54 €	10,80 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 818-1384
Codice costruttore:: SI7129DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7129DN, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	52,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	47,5 nC a 10 V
Larghezza	3.15mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.07mm
Minima temperatura operativa	-50 °C

MOSFET Vishay, canale P, 20 mΩ, 11,5 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

Link consigliati