1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, Tipo P, 20 mΩ, 35 A 30 V, PowerPAK 1212-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1384
Codice costruttore:
SI7129DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Serie

Si7129DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-50°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52.1W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.07mm

Lunghezza

3.15mm

Larghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale P, da 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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