MOSFET Vishay, canale N, 36 mΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 818-1416
Codice costruttore:: SI7900AEDN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 36 mΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 818-1416
Codice costruttore:: SI7900AEDN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7900AEDN, Dual N-Channel 20V (D-S) MOSFET, Common Drain
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	36 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Drain comune
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	10,5 nC a 4,5 V
Larghezza	3.15mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Altezza	1.07mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor

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