MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 29.5 mΩ Miglioramento, 23.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 228-2828
- Codice costruttore:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2828
- Codice costruttore:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 23.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 29.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17.4nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 23.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17.4nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Vishay è utilizzato per l'interruttore lato primario c.c./c.c., telecomunicazioni/server, controllo dell'azionamento per motori e rettifica sincrona.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)
Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM
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