MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 29.5 mΩ Miglioramento, 23.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
228-2828
Codice costruttore:
Si7454FDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Vishay è utilizzato per l'interruttore lato primario c.c./c.c., telecomunicazioni/server, controllo dell'azionamento per motori e rettifica sincrona.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Link consigliati