MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 29.5 mΩ Miglioramento, 23.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si7454FDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2829
Codice costruttore:
Si7454FDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Vishay è utilizzato per l'interruttore lato primario c.c./c.c., telecomunicazioni/server, controllo dell'azionamento per motori e rettifica sincrona.

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