MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 80 V, 6.5 Ω Miglioramento, 95 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

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Codice RS:
228-3030
Codice costruttore:
STL105N8F7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

127W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura trench gate migliorata che si traduce in una resistenza molto bassa in stato attivo, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i più bassi RDS(ON) sul mercato

Eccellente FOM (figura di merito)

Basso rapporto CRS/Ciss per immunità EMI

Elevata resistenza alle valanghe

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