MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 360 mΩ N, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
229-6452
Codice costruttore:
NTD360N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SUPERFET III

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.39 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza, canale N, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK


SUPERFET III è la nuova famiglia di MOSFET a supergiunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere prestazioni eccezionali a bassa resistenza e carica di gate inferiori. Questa tecnologia avanzata è stata studiata per ridurre al minimo la perdita di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e resistere a velocità dv/dt estreme. Di conseguenza, la serie di MOSFET SUPERFET III FAST aiuta a minimizzare diversi sistemi di alimentazione e a migliorare l'efficienza del sistema.

Caratteristiche


• 700 V a TJ = 150 °C

• Carica di gate ultra bassa (tip. Qg = 17,5 nC)

• Bassa capacità di uscita effettiva (tip. Coss(eff.) = 180 pF)

• Prestazioni di commutazione rapide con diodo robusto

• Testato a valanga al 100%.

• Conformità RoHS

• Tip. RDS(on) = 296 m

• Resistenza interna del gate: 0,9

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