MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 360 mΩ N, 10 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante NTPF360N65S3H
- Codice RS:
- 229-6501
- Codice costruttore:
- NTPF360N65S3H
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 229-6501
- Codice costruttore:
- NTPF360N65S3H
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 26W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.63mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.9 mm | |
| Altezza | 29.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 26W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.63mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.9 mm | ||
Altezza 29.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie SUPER FET on Semiconductor è costituita da MOSFET a super giunzione ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.
Capacità di uscita effettiva bassa
Testato con effetto valanga al 100%
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Senza piombo−
Conformità RoHS