MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 360 mΩ N, 9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 218-3016
- Codice costruttore:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 45 - 45 | 1,183 € | 53,24 € |
| 90 - 180 | 1,124 € | 50,58 € |
| 225 - 405 | 1,077 € | 48,47 € |
| 450 - 1080 | 1,029 € | 46,31 € |
| 1125 + | 0,958 € | 43,11 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3016
- Codice costruttore:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N serie Infineon CoolMOS™ P7 600V. Ha perdite di conduzione e commutazione estremamente basse che rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, compatte e molto più fredde. La piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies.
Adatto per la commutazione hard e soft (PFC e LLC) grazie a un'eccellente robustezza di commutazione
Significativa riduzione delle perdite di conduzione e commutazione
Eccellente robustezza ESD >2kV (HBM) per tutti i prodotti