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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	41.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	NTMFS
	Tipo di package	SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	22mΩ
	Modalità canale	N
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	80.6W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	5.3mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.3mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 41.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie NTMFS
	Tipo di package SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ
	Modalità canale N
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 80.6W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 5.3mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.3mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - NTMFS022N15MC

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 22 mΩ N, 41.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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