MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, H-PSOF, Superficie NTBL082N65S3HF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
230-9083
Codice costruttore:
NTBL082N65S3HF
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SUPERFET III

Tipo di package

H-PSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

13.28mm

Larghezza

2.4 mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III serie on Semiconductor è la nuovissima famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica del gate inferiori. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

Alta densità di potenza

Configurazione della sorgente Kelvin

Bassa rumorosità del gate e perdita di commutazione

Capacità ottimizzata

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Sensibilità all'umidità livello 1 garantita

Elevata affidabilità in condizioni ambientali umide

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