MOSFET Renesas Electronics, canale N, 0,0029 Ω, 50 A, WPAK, Montaggio superficiale

Codice RS:: 234-7152
Codice costruttore:: RJK0391DPA-00#J5A
Costruttore:: Renesas Electronics

MOSFET Renesas Electronics, canale N, 0,0029 Ω, 50 A, WPAK, Montaggio superficiale

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 28/08/2024.

Aggiunto

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

1,081 €

(IVA esclusa)

1,319 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
3000 +	1,081 €	3.243,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 234-7152
Codice costruttore:: RJK0391DPA-00#J5A
Costruttore:: Renesas Electronics

Documentazione Tecnica

Datasheet - RJK0391DPA-00#J5A

Normative

Dettagli prodotto

Il MOSFET di potenza singolo a canale N Renesas Electronics è adatto per applicazioni di commutazione e commutazione di carico. Ha un'elevata tensione di scarica distruttiva di 30 V. È in grado di pilotare gate di 4,5 V.

Commutazione ad alta velocità
Bassa corrente di azionamento
Montaggio ad alta densità
Bassa resistenza in stato attivo
Senza piombo
Senza alogeni

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	BEAM
Tipo di package	WPAK
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0029 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Numero di elementi per chip	1

Codice RS:: 234-7152
Codice costruttore:: RJK0391DPA-00#J5A
Costruttore:: Renesas Electronics

Datasheet - RJK0391DPA-00#J5A

MOSFET Renesas Electronics, canale N, 0,0029 Ω, 50 A, WPAK, Montaggio superficiale

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