MOSFET Renesas Electronics, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 234-7157
Codice costruttore:: RJK0656DPB-00#J5
Costruttore:: Renesas Electronics

MOSFET Renesas Electronics, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

2500 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 5

2,122 €

(IVA esclusa)

2,589 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
5 - 45	2,122 €	10,61 €
50 - 95	1,824 €	9,12 €
100 - 245	1,552 €	7,76 €
250 - 995	1,516 €	7,58 €
1000 +	1,332 €	6,66 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 234-7157
Codice costruttore:: RJK0656DPB-00#J5
Costruttore:: Renesas Electronics

Documentazione Tecnica

Datasheet - RJK0656DPB-00#J5

Normative

Dettagli prodotto

Il MOSFET di potenza singolo a canale N Renesas Electronics è adatto per applicazioni di commutazione e commutazione di carico. Ha un'elevata tensione di scarica distruttiva di 60 V. È in grado di pilotare gate di 4,5 V.

Commutazione ad alta velocità
Bassa corrente di azionamento
Montaggio ad alta densità
Bassa resistenza in stato attivo
Senza piombo
Senza alogeni

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	40 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,0056 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Materiale del transistor	Silicone
Numero di elementi per chip	1

Codice RS:: 234-7157
Codice costruttore:: RJK0656DPB-00#J5
Costruttore:: Renesas Electronics

Datasheet - RJK0656DPB-00#J5

MOSFET Renesas Electronics, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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